การเคลือบฟิล์มทังสเตนไตรออกไซด์โครงสร้างแบบแท่งระดับนาโนเมตรโดยเทคนิคการเอียงมุมที่ให้ค่าสมบัติอิเล็กโตรโครมิคเพิ่มขึ้น